
GCMX010A120B3H1P | |
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N.º de producto de DigiKey | 1560-GCMX010A120B3H1P-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | GCMX010A120B3H1P |
Descripción | 1200V, 10M SIC MOSFET FULL BRIDG |
Plazo estándar del fabricante | 22 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 201H (Tc) 600W (Tc) Montaje de chasis |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | SemiQ | |
Serie | ||
Embalaje | Caja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | Canal 4 N (puente completo) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 201H (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 14mOhm a 100A, 20V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4V a 40mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 428nC a 20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 10900pF a 800V | |
Potencia - Máx. | 600W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje de chasis | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo | |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 116,55000 € | 116,55 € |
10 | 102,07800 € | 1.020,78 € |
Precio unitario sin IVA: | 116,55000 € |
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Precio unitario con IVA: | 141,02550 € |