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TRS12E65F,S1Q
Toshiba Semiconductor and Storage
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TO-220-2
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SCS112AGC

N.º de producto de DigiKey
SCS112AGC-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
SCS112AGC
Descripción
DIODE SIL CARB 600V 12A TO220AC
Referencia del cliente
Descripción detallada
Diodos 600 V 12A Orificio pasante TO-220AC
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
SCS112AGC Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Obsoleto
Tecnología
SiC (carburo de silicio) Schottky
Voltaje - CC inverso (Vr) (Máx.)
600 V
Corriente - Promedio rectificado (Io)
12A
Voltaje - Directo (Vf) (máx.) a If
1.7 V @ 12 A
Velocidad
Sin tiempo de recuperación > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inversa (trr)
0 ns
Corriente - Fuga inversa a Vr
240 µA @ 600 V
Capacitancia según Vr, F
516pF a 1V, 1MHz
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
TO-220-2
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-220AC
Temperatura de funcionamiento: acoplamiento
175°C (máx.)
Número de producto base
SCS112
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Obsoleto
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