Name: RV8C010UNHZGG2CR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RV8C010UNHZGG2CRTR-ND
Price: 0.9075 EUR
Availability: InStock

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RV8C010UNHZGG2CR
N.º de producto de DigiKey	846-RV8C010UNHZGG2CRTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RV8C010UNHZGG2CRCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RV8C010UNHZGG2CRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RV8C010UNHZGG2CR
Descripción	MOSFET N-CH 20V 1A DFN1010-3W
Plazo estándar del fabricante	99 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 20 V 1A (Ta) 1W DFN1010-3W
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	20 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	470mOhm a 500mA, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id	1V a 1mA
Vgs (máx.)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	40 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN1010-3W
Paquete / Caja (carcasa)	3-XFDFN
Número de producto base	RV8C010