Name: RV7L020GNTCR1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RV7L020GNTCR1TR-ND
Price: 0.9317 EUR
Availability: InStock

RV7L020GNTCR1
N.º de producto de DigiKey	846-RV7L020GNTCR1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RV7L020GNTCR1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RV7L020GNTCR1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RV7L020GNTCR1
Descripción	NCH 60V 2A MIDDLE POWER MOSFET :
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 2A (Ta) 1.1W (Ta) DFN1212-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	157mOhm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.7V a 50µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	110 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN1212-3
Paquete / Caja (carcasa)	3-XDFN

Precio unitario sin IVA:	0,77000 €
Precio unitario con IVA:	0,93170 €

RV7L020GNTCR1