Canal N Montaje en superficie 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) 8-HSOP
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RS1P600BHTB1

N.º de producto de DigiKey
846-RS1P600BHTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
846-RS1P600BHTB1CT-ND - Cinta cortada (CT)
846-RS1P600BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
RS1P600BHTB1
Descripción
NCH 100V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 100 V 18A (Ta), 60A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) 8-HSOP
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
18A (Ta), 60A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
8.8mOhm a 18A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
4080 pF @ 50 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerTDFN
Número de producto base
RS1P
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
13,37000 €3,37 €
102,21600 €22,16 €
1001,55670 €155,67 €
5001,27498 €637,49 €
1.0001,18449 €1.184,49 €
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
2.5001,13781 €2.844,53 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:3,37000 €
Precio unitario con IVA:4,07770 €