Name: RS1G120MNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1G120MNTBTR-ND
Price: 0.8833 EUR
Availability: InStock

RS1G120MNTB
N.º de producto de DigiKey	RS1G120MNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RS1G120MNTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RS1G120MNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS1G120MNTB
Descripción	MOSFET N-CH 40V 12A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 40 V 12A (Ta) 3W (Ta), 25W (Tc) 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RS1G120MNTB Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	16.2mOhm a 12A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	570 pF @ 20 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	RS1G

Precio unitario sin IVA:	0,73000 €
Precio unitario con IVA:	0,88330 €

RS1G120MNTB