Name: RS1E350BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E350BNTBTR-ND
Price: 2.7104 EUR
Availability: InStock

RS1E350BNTB
N.º de producto de DigiKey	RS1E350BNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RS1E350BNTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RS1E350BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS1E350BNTB
Descripción	MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RS1E350BNTB Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	35A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	1.7mOhm a 35A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	185 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	7900 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	3W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN
Número de producto base	RS1E

Precio unitario sin IVA:	2,24000 €
Precio unitario con IVA:	2,71040 €

RS1E350BNTB