Name: RS1E350BNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E350BNTBTR-ND
Price: 2.7104 EUR
Availability: InStock

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RS1E350BNTB
N.º de producto de DigiKey	RS1E350BNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RS1E350BNTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RS1E350BNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS1E350BNTB
Descripción	MOSFET N-CH 30V 35A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 35A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta), 35W (Tc) 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RS1E350BNTB Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 185 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 7900 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 35W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 35A (Ta), 80A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSOP
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 1.7mOhm a 35A, 10V	Número de producto base RS1E

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
RS1E350BNTB1	Rohm Semiconductor	2.207	846-RS1E350BNTB1CT-ND	2,90000 €	Equivalente paramétrico

En stock: 750

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Cantidad

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.

Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	2,24000 €
Precio unitario con IVA:	2,71040 €

RS1E350BNTB