Canal N Montaje en superficie 30 V 32A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) 8-HSOP
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RS1E321GNTB1

N.º de producto de DigiKey
RS1E321GNTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR)
RS1E321GNTB1CT-ND - Cinta cortada (CT)
RS1E321GNTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
RS1E321GNTB1
Descripción
MOSFET N-CH 30V 32A/80A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante
18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 32A (Ta), 80A (Tc) 3W (Ta) 8-HSOP
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
32A (Ta), 80A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
2.1mOhm a 32A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
42.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
2850 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HSOP
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerTDFN
Número de producto base
RS1E
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
12,68000 €2,68 €
101,74200 €17,42 €
1001,20690 €120,69 €
5000,97816 €489,08 €
1.0000,90467 €904,67 €
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
2.5000,83168 €2.079,20 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:2,68000 €
Precio unitario con IVA:3,24280 €