Name: RS1E200GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RS1E200GNTBTR-ND
Price: 1.3673 EUR
Availability: InStock

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RS1E200GNTB
N.º de producto de DigiKey	RS1E200GNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RS1E200GNTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RS1E200GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RS1E200GNTB
Descripción	MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 20H (Ta), 57H (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) 8-HSOP
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RS1E200GNTB Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 16.8 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1080 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 3W (Ta), 25W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 20H (Ta), 57H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSOP
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 4.6mOhm a 20A, 10V	Número de producto base RS1E

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

Recursos adicionales

Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
BSC042N03LSGATMA1	Infineon Technologies	17.286	BSC042N03LSGATMA1CT-ND	1,51000 €	Similar

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Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®

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Cinta y rollo (TR)

Paquete estándar del fabricante

Precio unitario sin IVA:	1,13000 €
Precio unitario con IVA:	1,36730 €

RS1E200GNTB