
RS1E200BNTB | |
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N.º de producto de DigiKey | RS1E200BNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RS1E200BNTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RS1E200BNTBDKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | RS1E200BNTB |
Descripción | MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP |
Plazo estándar del fabricante | 21 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | Canal N Montaje en superficie 30 V 20A (Ta), 68A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) 8-HSOP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Modelos EDA/CAD | RS1E200BNTB Modelos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
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Categoría | ||
Fabricante | ||
Serie | - | |
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tipo FET | ||
Tecnología | ||
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 30 V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | ||
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) | 4.5V, 10V | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 3.9mOhm a 20A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 1mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 59 nC @ 10 V | |
Vgs (máx.) | ±20V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 3100 pF @ 15 V | |
Característica de FET | - | |
Disipación de potencia (Máx.) | 3W (Ta), 25W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-HSOP | |
Paquete / Caja (carcasa) | ||
Número de producto base |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
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1 | 0,57000 € | 0,57 € |
10 | 0,51700 € | 5,17 € |
100 | 0,43300 € | 43,30 € |
500 | 0,33652 € | 168,26 € |
1.000 | 0,30545 € | 305,45 € |
Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
---|---|---|
2.500 | 0,26774 € | 669,35 € |
5.000 | 0,23799 € | 1.189,95 € |
7.500 | 0,23493 € | 1.761,97 € |
12.500 | 0,22851 € | 2.856,38 € |
17.500 | 0,22732 € | 3.978,10 € |
Precio unitario sin IVA: | 0,57000 € |
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Precio unitario con IVA: | 0,68970 € |