Name: RQ6E085BNTCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ6E085BNTCRTR-ND
Price: 1.5851 EUR
Availability: InStock

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RQ6E085BNTCR
N.º de producto de DigiKey	RQ6E085BNTCRTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ6E085BNTCRCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ6E085BNTCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ6E085BNTCR
Descripción	MOSFET N-CH 30V 8.5A SOT457
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 8.5H (Tc) 1.25W (Tc) TSMT6 (SC-95)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ6E085BNTCR Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 32.7 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1350 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 1.25W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8.5H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TSMT6 (SC-95)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) SOT-23-6 delgado, TSOT-23-6
Rds On (máx) @ Id, Vgs 14.4mOhm a 8.5A, 10V	Número de producto base RQ6E085