Name: RQ3P300BHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P300BHTB1TR-ND
Price: 3.2791 EUR
Availability: InStock

RQ3P300BHTB1
N.º de producto de DigiKey	846-RQ3P300BHTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RQ3P300BHTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RQ3P300BHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ3P300BHTB1
Descripción	NCH 100V 39A, HSMT8, POWER MOSFE
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 39A (Tc) 32W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	39A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	6V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	15.5mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	36 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2040 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	32W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	RQ3P300

Precio unitario sin IVA:	2,71000 €
Precio unitario con IVA:	3,27910 €

RQ3P300BHTB1