Name: RQ3P270BKFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P270BKFRATCBTR-ND
Price: 2.2506 EUR
Availability: InStock

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RQ3P270BKFRATCB
N.º de producto de DigiKey	846-RQ3P270BKFRATCBTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RQ3P270BKFRATCBCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RQ3P270BKFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ3P270BKFRATCB
Descripción	NCH 100V 27A, HSMT8AG, POWER MOS
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 27H (Tc) 69W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13.6 nC @ 10 V
Fabricante Rohm Semiconductor	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 670 pF @ 50 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 69W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 100 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 27H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 27mOhm a 27A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1.6mA