Name: RQ3P045ATTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3P045ATTB1TR-ND
Price: 2.6015 EUR
Availability: InStock

RQ3P045ATTB1
N.º de producto de DigiKey	846-RQ3P045ATTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RQ3P045ATTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RQ3P045ATTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ3P045ATTB1
Descripción	PCH -100V -14.5A POWER MOSFET: R
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 100 V 4.5A (Ta), 14.5A (Tc) 2W (Ta), 20W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4.5A (Ta), 14.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	86mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	49 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1990 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta), 20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN
Número de producto base	RQ3P045

Precio unitario sin IVA:	2,15000 €
Precio unitario con IVA:	2,60150 €

RQ3P045ATTB1