Name: RQ3L070BGTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RQ3L070BGTB1TR-ND
Price: 0.8833 EUR
Availability: InStock

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RQ3L070BGTB1
N.º de producto de DigiKey	846-RQ3L070BGTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RQ3L070BGTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RQ3L070BGTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ3L070BGTB1
Descripción	NCH 60V 20A, HSMT8G, POWER MOSFE
Plazo estándar del fabricante	21 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 7A (Ta), 20A (Tc) 2W (Ta), 15W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7A (Ta), 20A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	24.7mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	7.6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	460 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta), 15W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN

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