Canal N Montaje en superficie 40 V 39A (Tc) 20W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
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Canal N Montaje en superficie 40 V 39A (Tc) 20W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
8 HSMT

RQ3G150GNTB

N.º de producto de DigiKey
RQ3G150GNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR)
RQ3G150GNTBCT-ND - Cinta cortada (CT)
RQ3G150GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
RQ3G150GNTB
Descripción
MOSFET N-CHANNEL 40V 39A 8HSMT
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 40 V 39A (Tc) 20W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
RQ3G150GNTB Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
No para diseños nuevos
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
40 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
39A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
7.2mOhm a 15A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
11.6 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
1450 pF @ 20 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
20W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)
8-PowerVDFN
Número de producto base
RQ3G150
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta cortada (CT) & Digi-Reel®
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
11,67000 €1,67 €
101,06200 €10,62 €
1000,71370 €71,37 €
5000,56462 €282,31 €
1.0000,51667 €516,67 €
*Todos los pedidos de Digi-Reel añadirán una cuota de carrete de 5,50 €.
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3.0000,45580 €1.367,40 €
6.0000,42516 €2.550,96 €
9.0000,40956 €3.686,04 €
15.0000,39627 €5.944,05 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:1,67000 €
Precio unitario con IVA:2,02070 €