Name: RQ3E080GNTB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RQ3E080GNTBTR-ND
Price: 0.7139 EUR
Availability: InStock

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RQ3E080GNTB
N.º de producto de DigiKey	RQ3E080GNTBTR-ND - Cinta y rollo (TR) RQ3E080GNTBCT-ND - Cinta cortada (CT) RQ3E080GNTBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RQ3E080GNTB
Descripción	MOSFET N-CH 30V 8A 8HSMT
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 8A (Ta) 2W (Ta), 15W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RQ3E080GNTB Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA
Fabricante Rohm Semiconductor	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 5.8 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 295 pF @ 15 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 2W (Ta), 15W (Tc)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 8A (Ta)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSMT (3.2x3)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerVDFN
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16.7mOhm a 8A, 10V	Número de producto base RQ3E080

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Documentos y medios

Clasificaciones medioambientales y de exportación

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Sustitutos (1)

N.° de pieza	Fabricante	Cantidad disponible	N.º de producto de DigiKey	Precio por unidad	Tipo de reemplazo
DMN3027LFG-7	Diodes Incorporated	1.660	DMN3027LFG-7DICT-ND	1,05000 €	Similar

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