Name: RH7P04BBKFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH7P04BBKFRATCBTR-ND
Price: 2.5047 EUR
Availability: InStock

RH7P04BBKFRATCB
N.º de producto de DigiKey	846-RH7P04BBKFRATCBTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RH7P04BBKFRATCBCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RH7P04BBKFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RH7P04BBKFRATCB
Descripción	NCH 100V 40A, DFN3333T8LSAB, POW
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 100 V 40A (Tc) 75W (Tc) DFN3333T8LSAB
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	13.8mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	19.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1030 pF @ 50 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN3333T8LSAB
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerTDFN

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3.000	0,59358 €	1.780,74 €
6.000	0,58091 €	3.485,46 €

Precio unitario sin IVA:	2,07000 €
Precio unitario con IVA:	2,50470 €

RH7P04BBKFRATCB