Name: RH7L04CBKFRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH7L04CBKFRATCBTR-ND
Price: 2.2627 EUR
Availability: InStock

Nuevo en DigiKey

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RH7L04CBKFRATCB
N.º de producto de DigiKey	846-RH7L04CBKFRATCBTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RH7L04CBKFRATCBCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RH7L04CBKFRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RH7L04CBKFRATCB
Descripción	NCH 60V 40A, DFN3333T8LSAB, POWE
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 40H (Tc) 62W (Tc) DFN3333T8LSAB
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 13.6 nC @ 10 V
Fabricante Rohm Semiconductor	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 950 pF @ 30 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 62W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 40H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor DFN3333T8LSAB
Rds On (máx) @ Id, Vgs 10.6mOhm a 20A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 650µA