Name: RH6R040CHTB1
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RH6R040CHTB1TR-ND
Price: 2.3232 EUR
Availability: InStock

RH6R040CHTB1
N.º de producto de DigiKey	846-RH6R040CHTB1TR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RH6R040CHTB1CT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RH6R040CHTB1DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RH6R040CHTB1
Descripción	NCH 150V 40A, HSMT8, POWER MOSFE
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 150 V 40A (Tc) 2.4W (Ta), 93W (Tc) 8-HSMT (3.2x3)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	150 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	40A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	8V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	38mOhm a 20A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 372µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	11.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	700 pF @ 75 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.4W (Ta), 93W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	8-HSMT (3.2x3)
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerVDFN

Precio unitario sin IVA:	1,92000 €
Precio unitario con IVA:	2,32320 €

RH6R040CHTB1