IGBT Parada de campo de trinchera 650 V 33 A 72 W Orificio pasante TO-3PFM
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RGW60TK65DGVC11

N.º de producto de DigiKey
RGW60TK65DGVC11-ND
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
RGW60TK65DGVC11
Descripción
IGBT TRENCH FS 650V 33A TO-3PFM
Plazo estándar del fabricante
22 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
IGBT Parada de campo de trinchera 650 V 33 A 72 W Orificio pasante TO-3PFM
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Tubo
Estado de pieza
Activo
Tipo IGBT
Parada de campo de trinchera
Voltaje - Ruptura de emisor colector (Máx.)
650 V
Corriente - Colector (Ic) (Máx.)
33 A
Corriente - colector impulsado (Icm)
120 A
Vce (encendido) (máx.) a Vge, Ic
1.9V a 15V, 30A
Potencia - Máx.
72 W
Energía de conmutación
480µJ (Encendido), 490µJ (Apagado)
Tipo de entrada
Estándar
Carga de compuerta
84 nC
Td (encendido/apagado) a 25ºC
37ns/114ns
Condiciones de prueba
400V, 30A, 10Ohm, 15V
Tiempo de recuperación inversa (trr)
92 ns
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje
Orificio pasante
Paquete / Caja (carcasa)
TO-3PFM, SC-93-3
Paquete del dispositivo del proveedor
TO-3PFM
Número de producto base
RGW60
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