Name: RF9G120BJFRATCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RF9G120BJFRATCRTR-ND
Price: 1.7182 EUR
Availability: InStock

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RF9G120BJFRATCR
N.º de producto de DigiKey	846-RF9G120BJFRATCRTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RF9G120BJFRATCRCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RF9G120BJFRATCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RF9G120BJFRATCR
Descripción	PCH -40V -12A, DFN2020Y7LSAA, PO
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 40 V 12A (Tc) 23W (Tc) DFN2020Y7LSAA
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RF9G120BJFRATCR Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 15.5 nC @ 10 V
Fabricante Rohm Semiconductor	Vgs (máx.) +5V, -20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 750 pF @ 20 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 23W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 40 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 12A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor DFN2020Y7LSAA
Rds On (máx) @ Id, Vgs 48mOhm a 3A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 6-UDFN
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 279µA