Name: RF4E070BNTR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RF4E070BNTRTR-ND
Price: 0.4157 EUR
Availability: OutOfStock

RF4E070BNTR
N.º de producto de DigiKey	RF4E070BNTRTR-ND - Cinta y rollo (TR) RF4E070BNTRCT-ND - Cinta cortada (CT) RF4E070BNTRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RF4E070BNTR
Descripción	MOSFET N-CH 30V 7A HUML2020L8
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 30 V 7A (Ta) 2W (Ta) HUML2020L8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RF4E070BNTR Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	7A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	28.6mOhm a 7A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.9 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	410 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	HUML2020L8
Paquete / Caja (carcasa)	8-PowerUDFN
Número de producto base	RF4E070

Precio unitario sin IVA:	0,34355 €
Precio unitario con IVA:	0,41570 €

RF4E070BNTR