Name: RD3S100AAFRATL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-RD3S100AAFRATLTR-ND
Price: 4.0051 EUR
Availability: InStock

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RD3S100AAFRATL
N.º de producto de DigiKey	846-RD3S100AAFRATLTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-RD3S100AAFRATLCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-RD3S100AAFRATLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RD3S100AAFRATL
Descripción	MOSFET N-CH 190V 10A TO252
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 190 V 10H (Tc) 85W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 52 nC @ 10 V
Fabricante Rohm Semiconductor	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 2000 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 85W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 190 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 10H (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252
Rds On (máx) @ Id, Vgs 182mOhm a 5A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 1mA	Número de producto base RD3S100