Name: RCX080N25
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: RCX080N25-ND
Price: 1.9239 EUR
Availability: InStock

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RCX080N25
N.º de producto de DigiKey	RCX080N25-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	RCX080N25
Descripción	MOSFET N-CH 250V 8A TO220FM
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 250 V 8A (Tc) 2.23W (Ta), 35W (Tc) TO-220FM
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	RCX080N25 Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	250 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	8A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	600mOhm a 4A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	15 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	840 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	2.23W (Ta), 35W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	RCX080

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