Name: R8009KNXC7G
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R8009KNXC7GTR-ND
Price: 5.5902 EUR
Availability: InStock

R8009KNXC7G
N.º de producto de DigiKey	846-R8009KNXC7GTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-R8009KNXC7GCT-ND - Cinta cortada (CT)
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R8009KNXC7G
Descripción	HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 9A
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 800 V 9A (Ta) 59W (Tc) TO-220FM
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT)
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	800 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	600mOhm a 4.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	900 pF @ 100 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	59W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	R8009

Precio unitario sin IVA:	4,62000 €
Precio unitario con IVA:	5,59020 €

R8009KNXC7G