Name: R6030ENXC7G
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-R6030ENXC7G-ND
Price: 8.1191 EUR
Availability: InStock

R6030ENXC7G
N.º de producto de DigiKey	846-R6030ENXC7G-ND
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R6030ENXC7G
Descripción	600V 30A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Plazo estándar del fabricante	18 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 30A (Tc) 86W (Tc) TO-220FM
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	30A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	130mOhm a 14.5A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	85 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	2100 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	86W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-220FM
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	R6030

Precio unitario sin IVA:	6,71000 €
Precio unitario con IVA:	8,11910 €

R6030ENXC7G