Name: R6009ENJTL
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: R6009ENJTLTR-ND
Price: 3.7994 EUR
Availability: OutOfStock

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R6009ENJTL
N.º de producto de DigiKey	R6009ENJTLTR-ND - Cinta y rollo (TR) R6009ENJTLCT-ND - Cinta cortada (CT) R6009ENJTLDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	R6009ENJTL
Descripción	MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Plazo estándar del fabricante	23 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 600 V 9A (Tc) 40W (Tc) LPTS
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	R6009ENJTL Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	9A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	535mOhm a 2.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	430 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	40W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	LPTS
Paquete / Caja (carcasa)	TO-263-3, D2PAK (2 conductores + pestaña), TO-263AB
Número de producto base	R6009

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1.000	1,08925 €	1.089,25 €
2.000	1,03104 €	2.062,08 €

Precio unitario sin IVA:	3,14000 €
Precio unitario con IVA:	3,79940 €

R6009ENJTL