Name: QS8M51TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8M51TR-ND
Price: 2.057 EUR
Availability: InStock

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QS8M51TR
N.º de producto de DigiKey	QS8M51TR-ND - Cinta y rollo (TR) QS8M51CT-ND - Cinta cortada (CT) QS8M51DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	QS8M51TR
Descripción	MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A TSMT8
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 100V 2A, 1.5A 1.5W Montaje en superficie TSMT8
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	QS8M51TR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Canal N y P
Característica de FET	Compuerta de nivel lógico
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2A, 1.5A
Rds On (máx) @ Id, Vgs	325mOhm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4.7nC a 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	290pF a 25V, 950pF a 25V
Potencia - Máx.	1.5W
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SMD, conductores planos
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT8
Número de producto base	QS8M51