Name: QS8M31TR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: QS8M31TR-ND
Price: 1.2705 EUR
Availability: InStock

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QS8M31TR
N.º de producto de DigiKey	QS8M31TR-ND - Cinta y rollo (TR) QS8M31CT-ND - Cinta cortada (CT) QS8M31DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	QS8M31TR
Descripción	MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Montaje en superficie TSMT8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Canal N y P
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	3A (Ta), 2A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	112mOhm a 3A, 10V, 210mOhm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA, 3V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	4nC a 5V, 7.2nC a 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	270pF a 10V, 750pF a 10V
Potencia - Máx.	1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SMD, conductores planos
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT8
Número de producto base	QS8M31