


QS8M31TR | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | QS8M31TR-ND - Cinta y rollo (TR) QS8M31CT-ND - Cinta cortada (CT) QS8M31DKR-ND - Digi-Reel® |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | QS8M31TR |
Descripción | MOSFET N/P-CH 60V 3A TSMT8 |
Plazo estándar del fabricante | 16 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 60V 3A (Ta), 2A (Ta) 1.1W (Ta) Montaje en superficie TSMT8 |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Embalaje | Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel® | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | MOSFET (óxido de metal) | |
Configuración | Canal N y P | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 60V | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 3A (Ta), 2A (Ta) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 112mOhm a 3A, 10V, 210mOhm a 2A, 10V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 2.5V a 1mA, 3V a 1mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 4nC a 5V, 7.2nC a 5V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 270pF a 10V, 750pF a 10V | |
Potencia - Máx. | 1.1W (Ta) | |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) | |
Tipo de montaje | Montaje en superficie | |
Paquete / Caja (carcasa) | 8-SMD, conductores planos | |
Paquete del dispositivo del proveedor | TSMT8 | |
Número de producto base |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 1,04000 € | 1,04 € |
| 10 | 0,65600 € | 6,56 € |
| 100 | 0,43230 € | 43,23 € |
| 500 | 0,33592 € | 167,96 € |
| 1.000 | 0,30491 € | 304,91 € |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 3.000 | 0,26551 € | 796,53 € |
| 6.000 | 0,24568 € | 1.474,08 € |
| 9.000 | 0,23557 € | 2.120,13 € |
| 15.000 | 0,22692 € | 3.403,80 € |
| Precio unitario sin IVA: | 1,04000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 1,25840 € |




