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QS5U13TR
Rohm Semiconductor
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Canal N Montaje en superficie 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) TSMT5
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QS5U12TR

N.º de producto de DigiKey
QS5U12TR-ND - Cinta y rollo (TR)
QS5U12CT-ND - Cinta cortada (CT)
QS5U12DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante
Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante
QS5U12TR
Descripción
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
Plazo estándar del fabricante
16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 2A (Ta) 1.25W (Ta) TSMT5
Hoja de datos
 Hoja de datos
Modelos EDA/CAD
QS5U12TR Modelos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
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Categoría
Fabricante
Rohm Semiconductor
Serie
-
Embalaje
Cinta y rollo (TR)
Cinta cortada (CT)
Digi-Reel®
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
2A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
2.5V, 4.5V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
100mOhm a 2A, 4.5V
Vgs(th) (máx) a Id
1.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
3.9 nC @ 4.5 V
Vgs (máx.)
±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
175 pF @ 10 V
Característica de FET
Diodo Schottky (aislado)
Disipación de potencia (Máx.)
1.25W (Ta)
Temperatura de funcionamiento
150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
TSMT5
Paquete / Caja (carcasa)
SOT-23-5 delgado, TSOT-23-5
Número de producto base
QS5U12
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Cantidad
Todos los precios se expresan en EUR
Cinta y rollo (TR)
Cantidad Precio por unidad Precio ext.
3.0000,22282 €668,46 €
6.0000,20553 €1.233,18 €
9.0000,19673 €1.770,57 €
15.0000,18683 €2.802,45 €
21.0000,18395 €3.862,95 €
Paquete estándar del fabricante
Precio unitario sin IVA:0,22282 €
Precio unitario con IVA:0,26961 €