Name: QH8ME5TCR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-QH8ME5TCRTR-ND
Price: 1.2584 EUR
Availability: InStock

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QH8ME5TCR
N.º de producto de DigiKey	846-QH8ME5TCRTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-QH8ME5TCRCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-QH8ME5TCRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	QH8ME5TCR
Descripción	MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	MOSFET - Arreglos 100V 2A (Ta) 1.1W (Ta) Montaje en superficie TSMT8
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET Arreglos FET, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Configuración	Canal N y P
Característica de FET	-
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	2A (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	202mOhm a 2A, 10V, 270mOhm a 2A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	2.8nC a 10V, 19.7nC a 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	90pF a 50V, 590pF a 50V
Potencia - Máx.	1.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete / Caja (carcasa)	8-SMD, conductores planos
Paquete del dispositivo del proveedor	TSMT8