
BST70B2P4K01-VC | |
|---|---|
N.º de producto de DigiKey | 846-BST70B2P4K01-VC-ND |
Fabricante | |
Número de pieza del fabricante | BST70B2P4K01-VC |
Descripción | HSDIP20, 1200V, 70A, FULL-BRIDGE |
Plazo estándar del fabricante | 27 semanas |
Referencia del cliente | |
Descripción detallada | MOSFET - Arreglos 1200V (1.2kV) 70A (Tc) 385W (Tc) Orificio pasante 20-HSDIP |
Hoja de datos | Hoja de datos |
Tipo | Descripción | Seleccionar todo |
|---|---|---|
Categoría | ||
Fabricante | Rohm Semiconductor | |
Serie | - | |
Embalaje | Caja | |
Estado de pieza | Activo | |
Tecnología | Carburo de silicio (SiC) | |
Configuración | Canal 4 N (puente completo) | |
Característica de FET | - | |
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC | 70A (Tc) | |
Rds On (máx) @ Id, Vgs | 25mOhm a 70A, 18V | |
Vgs(th) (máx) a Id | 4.8V a 22.2mA | |
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs | 170nC a 18V | |
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds | 4500pF a 800V | |
Potencia - Máx. | 385W (Tc) | |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 175°C | |
Grado | - | |
Calificación | - | |
Tipo de montaje | Orificio pasante | |
Paquete / Caja (carcasa) | Módulo 20-PowerDIP (1.508", 38.30mm) | |
Paquete del dispositivo del proveedor | 20-HSDIP |
| Cantidad | Precio por unidad | Precio ext. |
|---|---|---|
| 1 | 94,50000 € | 94,50 € |
| 10 | 79,35000 € | 793,50 € |
| 60 | 72,75750 € | 4.365,45 € |
| 120 | 70,97442 € | 8.516,93 € |
| Precio unitario sin IVA: | 94,50000 € |
|---|---|
| Precio unitario con IVA: | 114,34500 € |




