Name: BSS84XHZGG2CR
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-BSS84XHZGG2CRTR-ND
Price: 0.6776 EUR
Availability: InStock

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BSS84XHZGG2CR
N.º de producto de DigiKey	846-BSS84XHZGG2CRTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-BSS84XHZGG2CRCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-BSS84XHZGG2CRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	BSS84XHZGG2CR
Descripción	MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W
Plazo estándar del fabricante	17 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 230mA (Ta) 1W (Ta) DFN1010-3W
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	230mA (Ta)
Rds On (máx) @ Id, Vgs	5.3Ohm a 230mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 100µA
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	34 pF @ 30 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	DFN1010-3W
Paquete / Caja (carcasa)	3-XFDFN
Número de producto base	BSS84