Name: AG532EES4FRATCB
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: 846-AG532EES4FRATCBTR-ND
Price: 2.3474 EUR
Availability: InStock

AG532EES4FRATCB
N.º de producto de DigiKey	846-AG532EES4FRATCBTR-ND - Cinta y rollo (TR) 846-AG532EES4FRATCBCT-ND - Cinta cortada (CT) 846-AG532EES4FRATCBDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Rohm Semiconductor
Número de pieza del fabricante	AG532EES4FRATCB
Descripción	PCH -30V -85A, HPLF5060T5LSAH, P
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 85A (Tc) 75W (Tc) HPLF5060T5LSAH
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Rohm Semiconductor
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal P
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	85A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	10.3mOhm a 10A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 2.5mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	38 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	+5V, -20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1840 pF @ 15 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	75W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	HPLF5060T5LSAH
Paquete / Caja (carcasa)	SC-100, SOT-669

Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
3.000	0,54950 €	1.648,50 €
6.000	0,53142 €	3.188,52 €

Precio unitario sin IVA:	1,94000 €
Precio unitario con IVA:	2,34740 €

AG532EES4FRATCB