IRFD110 Harris Corporation | FET simple, MOSFET

IRFD110
N.º de producto de DigiKey	2156-IRFD110-ND
Fabricante	Harris Corporation
Número de pieza del fabricante	IRFD110
Descripción	1A, 100V, 0.600 OHM, N-CHANNEL
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 100 V 1A (Ta) 1.3W (Ta) 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Harris Corporation
Serie	-
Embalaje	Granel
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	100 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	1A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	540mOhm a 600mA, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	8.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	180 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja (carcasa)	4-DIP (0.300", 7.62mm)
Número de producto base	IRFD110

IRFD110