IPA60R280P7SE8228XKSA1 Infineon Technologies | Productos de semiconductores discretos

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IPA60R280P7SE8228XKSA1
N.º de producto de DigiKey	448-IPA60R280P7SE8228XKSA1-ND
Fabricante	Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante	IPA60R280P7SE8228XKSA1
Descripción	MOSFET N-CH 600V 12A TO220
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 600 V 12A (Tc) 24W (Tc) PG-TO220-FP
Hoja de datos	Hoja de datos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™ P7
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	600 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	12A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	280mOhm a 3.8A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4V a 190µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	761 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	24W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	PG-TO220-FP
Paquete / Caja (carcasa)	TO-220-3 paquete completo
Número de producto base	IPA60R280