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BSB012N03LX3G

N.º de producto de DigiKey
2156-BSB012N03LX3G-ND
Fabricante
Infineon Technologies
Número de pieza del fabricante
BSB012N03LX3G
Descripción
N-CHANNEL POWER MOSFET
Referencia del cliente
Descripción detallada
Canal N Montaje en superficie 30 V 39A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) MG-WDSON-2, CanPAK M™
Hoja de datos
 Hoja de datos
Atributos del producto
Tipo
Descripción
Seleccionar todo
Categoría
Fabricante
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™
Embalaje
Granel
Estado de pieza
Activo
Tipo FET
Canal N
Tecnología
MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)
30 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC
39A (Ta), 180A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)
4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs
1.2mOhm a 30A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id
2.2V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs
169 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds
16900 pF @ 15 V
Característica de FET
-
Disipación de potencia (Máx.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Calificación
-
Tipo de montaje
Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paquete / Caja (carcasa)
3-WDSON
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