Name: UPA2815T1S-E2-AT
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-UPA2815T1S-E2-ATTR-ND
Price: 1.5246 EUR
Availability: InStock

Canal P Montaje en superficie 30 V 21H (Tc) 1.5W (Ta) 8-HWSON (3.3x3.3)

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UPA2815T1S-E2-AT
N.º de producto de DigiKey	559-UPA2815T1S-E2-ATTR-ND - Cinta y rollo (TR) 559-UPA2815T1S-E2-ATCT-ND - Cinta cortada (CT) 559-UPA2815T1S-E2-ATDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	UPA2815T1S-E2-AT
Descripción	MOSFET P-CH 30V 21A 8HWSON
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 21H (Tc) 1.5W (Ta) 8-HWSON (3.3x3.3)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	UPA2815T1S-E2-AT Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 47 nC @ 10 V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1760 pF @ 10 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 1.5W (Ta)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 150°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-HWSON (3.3x3.3)
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 21H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerWDFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 4.5V, 10V	Número de producto base UPA2815
Rds On (máx) @ Id, Vgs 11mOhm a 21A, 10V