TP65H300G4LSG-TR Renesas Electronics Corporation | Productos de semiconductores discretos

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TP65H300G4LSG-TR
N.º de producto de DigiKey	1707-TP65H300G4LSG-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1707-TP65H300G4LSG-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1707-TP65H300G4LSG-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	TP65H300G4LSG-TR
Descripción	GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 6.5A (Tc) 21W (Tc) 3-PQFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	TP65H300G4LSG-TR Modelos

Atributos del producto

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Discontinuo en Digi-Key
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	6.5A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	8V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	312mOhm a 5A, 8V
Vgs(th) (máx) a Id	2.6V a 500µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.6 nC @ 8 V
Vgs (máx.)	±18V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	760 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	21W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	3-PQFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	3-PowerDFN
Número de producto base	TP65H300