Name: TP65H070LSG-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070LSG-TR-ND
Price: 15.8994 EUR
Availability: InStock

TP65H070LSG-TR
N.º de producto de DigiKey	1707-TP65H070LSG-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1707-TP65H070LSG-CT-ND - Cinta cortada (CT) 1707-TP65H070LSG-DKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	TP65H070LSG-TR
Descripción	GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) 3-PQFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	TP65H070L
Embalaje	Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (Nitrito de galio)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	25A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	85mOhm a 16A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.8V a 700µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	9.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	600 pF @ 400 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	96W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	3-PQFN (8x8)
Paquete / Caja (carcasa)	3-PowerDFN

Precio unitario sin IVA:	13,14000 €
Precio unitario con IVA:	15,89940 €

TP65H070LSG-TR