Name: TP65H070G4LSGB-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H070G4LSGB-TR-ND
Price: 8.6031 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) 8-PQFN (8x8)

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TP65H070G4LSGB-TR
N.º de producto de DigiKey	1707-TP65H070G4LSGB-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1707-TP65H070G4LSGB-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1707-TP65H070G4LSGB-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	TP65H070G4LSGB-TR
Descripción	GANFET N-CH 650V 29A QFN8X8
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 29A (Tc) 96W (Tc) 8-PQFN (8x8)
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 85mOhm a 16A, 10V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (máx) a Id 4.6V a 700µA
Serie SuperGaN®	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 8.4 nC @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 600 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 96W (Tc)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 29A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor 8-PQFN (8x8)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerTDFN