Name: TP65H035WSQA
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: TP65H035WSQA-ND
Price: 25.8698 EUR
Availability: OutOfStock

TP65H035WSQA
N.º de producto de DigiKey	TP65H035WSQA-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	TP65H035WSQA
Descripción	GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos	Hoja de datos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Activo
Tipo FET	Canal N
Tecnología	GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	650 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	47.2A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	41 mOhm a 32A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	4.5V a 1mA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	24 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1500 pF @ 400 V
Disipación de potencia (Máx.)	187W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-247-3
Paquete / Caja (carcasa)	TO-247-3
Número de producto base	TP65H035

Precio unitario sin IVA:	21,38000 €
Precio unitario con IVA:	25,86980 €

TP65H035WSQA