Name: TP65H030G4PQS-TR
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H030G4PQS-TR-ND
Price: 10.89 EUR
Availability: InStock

Canal N Montaje en superficie 650 V 55.7H (Tc) 192W (Tc) TOLL

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TP65H030G4PQS-TR
N.º de producto de DigiKey	1707-TP65H030G4PQS-TR-ND - Cinta y rollo (TR) 1707-TP65H030G4PQS-TRCT-ND - Cinta cortada (CT) 1707-TP65H030G4PQS-TRDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	TP65H030G4PQS-TR
Descripción	GANFET N-CH 650V 55.7A TOLL
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 650 V 55.7H (Tc) 192W (Tc) TOLL
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Vgs(th) (máx) a Id 4.8V a 1mA
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 24.5 nC @ 12 V
Serie SuperGaN®	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 1500 pF @ 400 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 192W (Tc)
Tipo FET Canal N	Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tecnología GaNFET (FET de nitruro de galio Cascode)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Paquete del dispositivo del proveedor TOLL
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 55.7H (Tc)	Paquete / Caja (carcasa) 8-PowerSFN
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 12V	Número de producto base TP65H030
Rds On (máx) @ Id, Vgs 41mOhm a 30A, 12V