Name: TP65H015G5WS
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 1707-TP65H015G5WS-ND
Price: 25.047 EUR
Availability: InStock

Canal N Orificio pasante 650 V 93H (Tc) 266W (Tc) TO-247-3

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TP65H015G5WS
N.º de producto de DigiKey	1707-TP65H015G5WS-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	TP65H015G5WS
Descripción	650 V 95 A GAN FET
Plazo estándar del fabricante	16 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 650 V 93H (Tc) 266W (Tc) TO-247-3
Hoja de datos	Hoja de datos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Rds On (máx) @ Id, Vgs 18mOhm a 60A, 10V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Vgs(th) (máx) a Id 4.8V a 2mA
Serie SuperGaN™	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100 nC @ 10 V
Embalaje Tubo	Vgs (máx.) ±20V
Estado de pieza Activo	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5218 pF @ 400 V
Tipo FET Canal N	Disipación de potencia (Máx.) 266W (Tc)
Tecnología GaNFET (Nitrito de galio)	Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 650 V	Tipo de montaje Orificio pasante
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 93H (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-247-3
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-247-3

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Cantidad	Precio por unidad	Precio ext.
1	20,70000 €	20,70 €
30	13,14233 €	394,27 €
120	11,49133 €	1.378,96 €
510	11,29565 €	5.760,78 €

Paquete estándar del fabricante

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