NP90N06VLG-E1-AY Renesas Electronics Corporation | Productos de semiconductores discretos

NP90N06VLG-E1-AY
N.º de producto de DigiKey	NP90N06VLG-E1-AYTR-ND - Cinta y rollo (TR)
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	NP90N06VLG-E1-AY
Descripción	MOSFET N-CH 60V 90A TO252
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Montaje en superficie 60 V 90A (Tc) 1.2W (Ta), 105W (Tc) TO-252
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NP90N06VLG-E1-AY Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Cinta y rollo (TR)
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	60 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	90A (Tc)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	4.5V, 10V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7.8mOhm a 45A, 10V
Vgs(th) (máx) a Id	2.5V a 250µA
Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs	135 nC @ 10 V
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	6900 pF @ 25 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	1.2W (Ta), 105W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	175°C (TJ)
Grado	Uso automotriz
Calificación	AEC-Q101
Tipo de montaje	Montaje en superficie
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-252
Paquete / Caja (carcasa)	TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63