Name: NP75P03YDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND
Price: 3.509 EUR
Availability: InStock

Canal P Montaje en superficie 30 V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) 8-HSON

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NP75P03YDG-E1-AY
N.º de producto de DigiKey	559-NP75P03YDG-E1-AYTR-ND - Cinta y rollo (TR) 559-NP75P03YDG-E1-AYCT-ND - Cinta cortada (CT) 559-NP75P03YDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	NP75P03YDG-E1-AY
Descripción	MOSFET P-CH 30V 75A 8HSON
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 30 V 75A (Tc) 1W (Ta), 138W (Tc) 8-HSON
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NP75P03YDG-E1-AY Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 141 nC @ 10 V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Vgs (máx.) ±20V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 4800 pF @ 25 V
Estado de pieza Activo	Disipación de potencia (Máx.) 1W (Ta), 138W (Tc)
Tipo FET Canal P	Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Grado Uso automotriz
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 30 V	Calificación AEC-Q101
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 75A (Tc)	Tipo de montaje Montaje en superficie
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.) 5V, 10V	Paquete del dispositivo del proveedor 8-HSON
Rds On (máx) @ Id, Vgs 6.2mOhm a 37.5A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) Placa descubierta 8-SMD con conductor plano
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA	Número de producto base NP75P03