Name: NP50P06SDG-E1-AY
Brand: Renesas Electronics Corporation
SKU: 559-NP50P06SDG-E1-AYTR-ND
Price: 3.3517 EUR
Availability: InStock

Canal P Montaje en superficie 60 V 50A (Tc) 1.2W (Ta), 84W (Tc) TO-252 (MP-3ZK)

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NP50P06SDG-E1-AY
N.º de producto de DigiKey	559-NP50P06SDG-E1-AYTR-ND - Cinta y rollo (TR) 559-NP50P06SDG-E1-AYCT-ND - Cinta cortada (CT) 559-NP50P06SDG-E1-AYDKR-ND - Digi-Reel®
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	NP50P06SDG-E1-AY
Descripción	MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Plazo estándar del fabricante	12 semanas
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal P Montaje en superficie 60 V 50A (Tc) 1.2W (Ta), 84W (Tc) TO-252 (MP-3ZK)
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	NP50P06SDG-E1-AY Modelos

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Categoría Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET	Carga de compuerta (Qg) (máx.) a Vgs 100 nC @ 10 V
Fabricante Renesas Electronics Corporation	Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds 5000 pF @ 10 V
Embalaje Cinta y rollo (TR) Cinta cortada (CT) Digi-Reel®	Disipación de potencia (Máx.) 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Estado de pieza Activo	Temperatura de funcionamiento 175°C (TJ)
Tipo FET Canal P	Grado Uso automotriz
Tecnología MOSFET (óxido de metal)	Calificación AEC-Q101
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss) 60 V	Tipo de montaje Montaje en superficie
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC 50A (Tc)	Paquete del dispositivo del proveedor TO-252 (MP-3ZK)
Rds On (máx) @ Id, Vgs 16.5mOhm a 25A, 10V	Paquete / Caja (carcasa) TO-252-3, DPAK (2 conductores + pestaña), SC-63
Vgs(th) (máx) a Id 2.5V a 250µA