2SK1835-E Renesas Electronics Corporation | FET simple, MOSFET

2SK1835-E
N.º de producto de DigiKey	2SK1835-E-ND
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Número de pieza del fabricante	2SK1835-E
Descripción	MOSFET N-CH 1500V 4A TO3P
Referencia del cliente
Descripción detallada	Canal N Orificio pasante 1500 V 4A (Ta) 125W (Tc) TO-3P
Hoja de datos	Hoja de datos
Modelos EDA/CAD	2SK1835-E Modelos

Tipo	Descripción	Seleccionar todo
Categoría	Productos de semiconductores discretos Transistores FET, MOSFET FET simple, MOSFET
Fabricante	Renesas Electronics Corporation
Serie	-
Embalaje	Tubo
Estado de pieza	Obsoleto
Tipo FET	Canal N
Tecnología	MOSFET (óxido de metal)
Voltaje de drenaje a fuente (Vdss)	1500 V
Corriente - consumo continuo (Id) a 25ºC	4A (Ta)
Voltaje de impulso (encendido Rds máx., encendido Rds mín.)	15V
Rds On (máx) @ Id, Vgs	7Ohm a 2A, 15V
Vgs(th) (máx) a Id	-
Vgs (máx.)	±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (máx.) a Vds	1700 pF @ 10 V
Característica de FET	-
Disipación de potencia (Máx.)	125W (Tc)
Temperatura de funcionamiento	150°C (TJ)
Grado	-
Calificación	-
Tipo de montaje	Orificio pasante
Paquete del dispositivo del proveedor	TO-3P
Paquete / Caja (carcasa)	TO-3P-3, SC-65-3
Número de producto base	2SK1835

Precio unitario sin IVA:	25,01000 €
Precio unitario con IVA:	30,26210 €

2SK1835-E